Le HMC590LP5E est un amplificateur de puissance à haute performance GaAs pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) conçu par Analog Devices
LeHMC590LP5Eest un dispositif de haute performanceAmplificateur de puissance GaAs pHEMT MMIC (circuit intégré monolithique à micro-ondes)conçus par Analog Devices pour des applications dans la gamme de fréquences de6 à 9,5 GHzVous trouverez ci-dessous un résumé complet de ses principales caractéristiques:
Principales spécifications:
- Plage de fréquence:6 à 9,5 GHz.
- Puissance de sortie:
- P1dB (point de compression de 1 dB):+29 dBm.
- Puissance de sortie saturée (Psat):+31 dBm (1 watt).
- Le gain:21 dB (typique).
- Efficacité de l'énergie ajoutée (EAP):23% à la puissance maximale.
- Voltage d'alimentation de vidange (Vdd):+7V (typiquement).
- Courant d'alimentation:820 mA à 7 V.
- Perte de retour d'entrée:15 dB (typique).
- Définition de l'interception de troisième ordre (OIP3):+42 dBm (typique).
- Type de colis:QFN de 32 plombs (5 mm x 5 mm) pour les applications de montage en surface.
- Plage de température de fonctionnement:-55°C à +85°C.
Caractéristiques:
- Parallélisation intégrée d'entrée/sortie de 50Ω:Simplifie la conception du système en éliminant les composants de correspondance externes.
- Légèreté élevéeAssure des performances fiables dans les applications nécessitant une faible distorsion.
- Une conception robuste:Résiste à ± 200 V ESD (HBM) et supporte une dissipation thermique élevée.
Applications à réaliser:
- Radios à micro-ondes et liaisons point à point:Améliore la communication à longue portée avec une puissance de sortie élevée et un faible bruit.
- Systèmes militaires et aérospatiaux:Convient pour les radars et les systèmes de communication sécurisés.
- Les équipements:Utilisé dans les équipements d'essai RF nécessitant une précision et une puissance.
Les avantages:
- Conception compacte:Idéal pour les circuits RF à espace restreint.
- Performance efficace:Offre un gain et une puissance de sortie élevés avec une excellente gestion thermique.