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Maison > produits > Des semi-conducteurs électroniques > Le groupe TH58BYG2S3HBAI4

Le groupe TH58BYG2S3HBAI4

qualité Le groupe TH58BYG2S3HBAI4 usine
qualité Le groupe TH58BYG2S3HBAI4 usine
fabricant:
Toshiba
Description:
Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Product Category ::
Flash Memory
Memory Type ::
NAND
Mounting Style ::
SMD/SMT
Memory Size ::
4 Gbit
Packaging ::
Tray
Package / Case ::
TFBGA-63
Series ::
TH58BYG2S3
Interface Type ::
Parallel
Operating Temperature Range ::
- 40 C to + 85 C
Manufacturer ::
Toshiba
Introduction
Le TH58BYG2S3HBAI4, de Toshiba, est une mémoire flash. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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