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fabricant:
Technologie des microns
Description:
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Technology ::
SDRAM - Mobile LPDDR
Product Category ::
Memory ICs
Memory Type ::
Volatile
Factory Stock ::
0
Write Cycle Time - Word, Page ::
15ns
Supplier Device Package ::
90-VFBGA (10x13)
Access Time ::
5.0ns
Memory Format ::
DRAM
Part Status ::
Obsolete
Memory Size ::
1Gb (32M x 32)
Packaging ::
Tape & Reel (TR)
@ qty ::
0
Operating Temperature ::
-40°C ~ 85°C (TA)
Minimum Quantity ::
1000
Memory Interface ::
Parallel
Package / Case ::
90-VFBGA
Mounting Type ::
Surface Mount
Clock Frequency ::
166MHz
Voltage - Supply ::
1.7 V ~ 1.95 V
Series ::
-
Manufacturer ::
Micron Technology
Introduction
Le MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
MT41K512M8DA-093:P
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
IC FLASH 8M PARALLEL 64EASYBGA
MT29F64G08CFACBWP-12Z : C TR
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
Le nombre total d'équipements utilisés est de:
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
MT2F2G01ABAGDSF-IT:G
IC FLASH 2G SPI SOIC
MT29F2T08EMHAFJ4-3T: UN TR
IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ
MT2département d'État
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.
IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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MT4d2d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d3d |
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MT2département d'État |
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention. |
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