A5G23H110NT4

fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
Transistors discrets de puissance RF
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16
Avg Power (W) ::
13.8
Frequency Min (GHz) ::
2.3
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.4
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introduction
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