Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé par la méthode suivante:
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fabricant:
MACOM
Description:
RF JFET Transistors DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13.5 dB
Type de transistor::
HEMT
Output Power ::
5 W
Package / Case ::
SOT89-3
Maximum Operating Temperature ::
+ 95 C
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
50 V
Packaging ::
Reel
Id - Courant de vidange continu::
0,3 A
Pd - Power Dissipation ::
12 W
Manufacturer ::
MACOM
Introduction
Le MAGX-000040-0050TP,de MACOM,est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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