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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:

fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Catégorie de produit::
Transistors RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Palladium - dissipation de puissance ::
117 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Emballage::
Plateau
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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