TGF2956
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Catégorie de produit::
Transistors RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Le gain::
190,3 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
47.6 dBm
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
100 V
Id - Continuous Drain Current ::
3.5 A
Pd - Power Dissipation ::
53 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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