QPD1003
![qualité [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET de 1,2 à 1,4 GHz 500 W 50 V SSG 20 dB GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.9 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
540 W
Package / Case ::
RF-565
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
15 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Palladium - dissipation de puissance ::
370 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le QPD1003, de Qorvo, est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: