TGF2060
Caractéristiques
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Technology ::
GaAs
Catégorie de produit::
Transistors RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Le gain::
DB 12
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
2.1 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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