TGF2929-HM
![qualité [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Gain ::
17.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
132 W
Package / Case ::
Flange Ceramic-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Id - Continuous Drain Current ::
7.2 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.8 V
Pd - Power Dissipation ::
140 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le TGF2929-HM,de Qorvo,est des transistors RF JFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: