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fabricant:
Cel
Description:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Polarité du transistor::
N-canal
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Le gain::
DB 14
Transistor Type ::
HFET
Palladium - dissipation de puissance ::
175 mW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Introduction
Le NE3508M04-T2-A,de CEL,est des transistors RF JFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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