Le nombre d'équipements utilisés
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Catégorie de produit::
Transistors RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Le gain::
DB 19
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
16 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
1.2 A
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le T1G6001032-SM,de Qorvo,est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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