Le nombre d'équipements utilisés
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fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
Type de transistor::
HEMT
Output Power ::
260 W
Palladium - dissipation de puissance ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 250 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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