TGF2040
Caractéristiques
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
1.4 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
129 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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