Le numéro de série
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fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Polarité du transistor::
N-canal
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Le gain::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
Puissance de sortie::
162 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le QPD1008L, de Qorvo, est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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