TGF2120
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fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 12 V
Technologie::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Le gain::
11 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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