Les données de l'équipe de surveillance
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fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
22 W
Package / Case ::
QFN-20
Maximum Operating Temperature ::
+ 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
1.8 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Palladium - dissipation de puissance ::
49 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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