Quatrième partie
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fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
36 W
Package / Case ::
NI780-4
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
210 mA
Pd - Power Dissipation ::
18.6 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le QPD2730, de Qorvo, est un transistor RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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