Le code de référence est le QPD1015L
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
Température de fonctionnement maximale::
+ 85 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - Tension de rupture de la porte de la source::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
64 W
Fabricant::
Qorvo
Introduction
Le QPD1015L, de Qorvo, est des transistors RF JFET. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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