Le nombre d'équipements utilisés
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fabricant:
Qorvo
Description:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Polarité du transistor::
N-canal
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20.8 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Power Dissipation ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 275 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le T1G2028536-FL,de Qorvo,est des transistors RF JFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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