Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 ou 2 du présent règlement.
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
17.1 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
15.3 W
Package / Case ::
QFN-EP-16
Output Power ::
11 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Courant de vidange continu::
557 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le TGF3015-SM,de Qorvo,est des transistors RF JFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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