TGF2952
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
38.4 dBm
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
100 V
Id - Continuous Drain Current ::
480 mA
Palladium - dissipation de puissance ::
10,5 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
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