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fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET DC-3,5 GHz 32V GaN PAE 58% à 3,3 GHz
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - Tension de rupture de la porte de la source::
- 2,9 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introduction
Le TGF2819-FL,de Qorvo,est des transistors RF JFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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