NPT1012B
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fabricant:
MACOM
Description:
Transistors RF JFET DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Température de fonctionnement maximale::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Tension de rupture de la porte de la source::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Introduction
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