Le nombre total d'unités utilisées est de:
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fabricant:
Infineon Technologies
Description:
RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ
Catégorie:
Des semi-conducteurs électroniques
Caractéristiques
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.5 dB
Output Power ::
55 W
Package / Case ::
H-37260-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
65 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
1.85 A
Rds On - Drain-Source Resistance ::
0.04 Ohms at 10 V
Manufacturer ::
Infineon Technologies
Introduction
Le PTFA092201F V4 R250, d'Infineon Technologies, est un transistor RF MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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