BFP420H6327XTSA1 Transistor RF au silicium NPN de la société Infineon

Numéro de pièce: BFP420H6327XTSA1

Résumé du produit:LeBFP420H6327XTSA1est un dispositif de haute performanceTransistors RF NPNCe composant est conçu pour des applications nécessitant un faible bruit, un gain élevé et des performances à grande vitesse dans des emballages compacts.

Principales caractéristiques:

1. Le type: Transistors RF NPN
2. Fréquence de transition (ft): 25 GHz
3. Figure du bruit (NF): 00,75 dB à 2 GHz
4. Gain (Gmax): 21 dB à 1,8 GHz
5. Voltage collecteur-émetteur (Vce): 2 V
6. Courant du collecteur (Ic): 20 mA
7. Type de colis: Le SOT-343
8. Dissipation de puissance (Ptot): 150 mW
9. Plage de température de fonctionnement: -65°C à +150°C
10. Conformité: Conforme à la directive RoHS

Les champs d'application:

• Amplificateurs à faible bruit:Idéal pour une utilisation dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit en raison de son faible bruit.
• d. équipements pour la fabrication d'aéronefs de haute tension:Convient pour les applications d'oscillateur à haute fréquence dans les systèmes de communication.
• Amplificateurs RF:Utilisé dans les circuits d'amplificateurs RF pour une amplification améliorée du signal.
• Les télécommunications:Fournit des performances fiables dans les appareils et systèmes de télécommunications.
• Équipement d'essai et de mesure:Assure des mesures précises et précises dans l'équipement d'essai.

Installation et utilisation:

LeBFP420H6327XTSA1Il est conçu pour une intégration simple dans les circuits électroniques.Une manipulation et une installation appropriées sont essentielles pour maximiser les performances et la fiabilité.

Motifs de sélection du BFP420H6327XTSA1:

Le choix de laBFP420H6327XTSA1s'assure que vous utilisez unun transistor RF NPN de haute qualitéavecexcellentes performances et fiabilitéCe composant améliorera l'efficacité et la fonctionnalité de vos systèmes électroniques, en fournissantfaible bruit,un gain élevé, etperformances à grande vitesse.

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