Des semi-conducteurs électroniques Fabricant From China of page 424

partie #	Description	fabricant
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:	Flash Memory 16Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET	ISSI
S25FL032P0XNFB001	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29AS016J70YEI139	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL512S10DHSS43	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises en matière d'assurance-emploi soient conformes aux normes de sécurité énoncées dans le présent règlement.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory 512Kb QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, ET	ISSI
P770022CF7C000 Les produits de base sont les suivants:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le montant de l'aide est calculé en fonction des coûts de production.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL01GS11DHIV23	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.	Flash Memory 32M, 85MHz 2.3-3.6V DataFlash	Technologies d'Adesto
S29XS128RABBHI000	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises soient conformes à l'avis de la Commission.	Flash Memory 128Mb 1.8V 108Mhz Parallel NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
S29PL127J60TAW130	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL256LDPMFI000	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL512SAGBHVB13	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les données de l'enquête sont fournies à l'autorité compétente.	Flash Memory 16M (1Mx16) 70ns Commercial Temp	Technologie des puces
S25FS512SAGNFI010	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory 256M 3.0V 110ns Parallel NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
S29WS512P0PBFW0002	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL128SAGBHIT03 est le numéro de série S25FL128SAGBHIT03	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
D770005CF9C000	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
S25FL116K0XMFA013	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S72VS256RE0AHBH13	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de série de l'appareil.	Flash Memory 16M, 85MHz 2.5-3.6V Serial Flash	Technologies d'Adesto
S34ML02G100TFI003 Pour les appareils électroniques	Flash Memory 2Gb 3V 25ns NAND Flash	Spansion/Cypress
Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes à la législation en vigueur.	Flash Memory 2.7V to 3.6V 8Mbit SPI Serial Flash	Technologie des puces
S29GL256S10DHSS20	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL256P90FFCR10	Flash Memory 256Mb 3.0-3.6V 90ns Parallel NOR Flash	Spansion/Cypress
Le système de détection de la pollution doit être conforme à l'annexe II.	Flash Memory 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V	Technologie des puces
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail.	Flash Memory 16M 2.5-3.6V 85Mhz Data Flash	Technologies d'Adesto
Le nombre d'unités utilisées est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL512S11FHIV20	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL128P0XMFI013	Flash Memory 128MB CMOS 3V 16PIN Serial NOR Flash	Spansion/Cypress
S34ML01G100TFI003 Pour les appareils électroniques	Flash Memory 1Gb 3V 25ns NAND Flash	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL01GT10FHI020: les produits de base sont dérivés du produit de base.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29JL064J55BHI000	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL01GT12TFVV20	Flash Memory NOR	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.	Flash Memory 4M 1.65V-4.4V SPI SerialFlash Dual-I/O	Technologies d'Adesto
S29GL01GS11TFI010: Les produits de base sont les produits de base.	Flash Memory 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'heures d'attente est déterminé en fonction de la fréquence de l'appareil.	Flash Memory 8-VDFN (6x8), IND TEMP, QUAD, 2.3V, T&R	Technologies d'Adesto
Le nombre total d'équipements utilisés dans le cadre de l'équipement est de:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29AS016J70BHIF40: les produits de base sont soumis à des contrôles de qualité.	Flash Memory 16M, 1.8V, 70ns Parallel NOR Flash	Spansion/Cypress
A2C00121400 A. Pour les appareils à commande électronique	Flash Memory IC 32MEG FLASH EEPROM	Cypress Semi-conducteur
Le montant de la garantie est calculé à partir de la valeur de la garantie.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur

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