Filtres
Filtres
Des semi-conducteurs électroniques
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![qualité [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail. |
IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC
|
Technologies d'Adesto
|
|
|
|
|
|
W29N01GVSIAA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
Le nombre de points de contrôle est le suivant: |
IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
BR25S320FVM-WTR |
IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8MSOP
|
ROHM Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'émission. |
IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT2F1G08ABAEAH4-ITX:E |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2FB-75:D TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR |
IC FLASH 128G MMC 100LBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT4F4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4 |
IC FLASH MLC 64G 8GX8
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT46V128M4FN-75Z:D |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le montant de l'indemnité est calculé à partir du montant de l'indemnité. |
IC FLASH MEMORY 256MB
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
Le nombre de points de contact est le plus élevé possible. |
IC FLASH 32MBIT
|
MXIC, Macronix. Je suis désolé.
|
|
|
|
|
|
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le numéro de série est le W631GU6MB11 |
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
MX29LV400CBTI-55Q, qui a été détecté |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
|
MXIC, Macronix. Je suis désolé.
|
|
|
|
|
|
MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A |
IC DRAM 128M PARALLEL 60FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Je ne sais pas.8 |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
|
ROHM Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
MT4A4A4A4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4 |
IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT45W4MW16BBB-708 WT TR |
IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Les données sont fournies à l'aide de l'écran d'affichage. |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
Le numéro de série est le W631GU8MB15 |
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBADAWP:D |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT46V32M8P-5B:MTR |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT28GU256AAA1EGC-0SIT |
IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
M58LR128KT85ZB5E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT46H32M16LFBF-6 À:C |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16HA-15E:D TR |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil |
IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
|
MXIC, Macronix. Je suis désolé.
|
|
|
|
|
|
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR |
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT2F4G01ADGDSF-IT:G TR |
IC FLASH 4G SPI SOIC
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16HA-125:UN TR |
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT41K256M8DA-15E:M |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT46V32M8P-5B L:M |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement. |
IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8VCSP50L2
|
ROHM Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
MT47H128M8CF-25:H |
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'heures d'attente est calculé en fonction de la fréquence de l'émission. |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VDFN
|
Technologies d'Adesto
|
|
|
|
|
|
Le numéro de téléphone de l'AT45DQ161-SSHFB |
IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC
|
Technologies d'Adesto
|
|
|
|
|
|
MT46V16M16TG-5B:F TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé à: |
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
Les données de l'échantillon sont fournies à l'échantillon. |
IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR |
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'heures d'essai doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise. |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
MT2F2G01AAAEDH4-ITX:E |
IC FLASH 2G SPI 63VFBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT2département d'État |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
Le nombre de points d'interrogation est le suivant: |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON
|
Électronique Winbond
|
|
|
|
|
|
MTFC128GUA-WT ES TR |
IC FLASH 1T MMC
|
Technologie des microns
|
|
|
|
|
|
MT2département d'État |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Technologie des microns
|
|
|