Circuits intégrés - IC Fabricant From China of page 320

partie #	Description	fabricant
Je ne sais pas.112	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
Le nombre de points de contrôle	RF Amplifier	Qorvo
Le nombre d'heures de travail	RF Amplifier	Qorvo
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
R3005300L	Amplificateur RF 5 à 300 MHz NF 5,5 dB Gain 31,5 dB	Qorvo
Les pièces détachées sont classées selon le modèle suivant:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
UTV040F	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
BLC9H10XS-300PY	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
Le modèle SRF820H	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Le TPV364	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Le numéro BLW98	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par la méthode suivante:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
TGA2307-SM, sous réserve de l'accord de l'autorité compétente	RF Amplifier	Qorvo
Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
Pour les véhicules à moteur électrique:118	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
A3T19H455W23SR6	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
SZM5066ZTR13 est un appareil de détection de gaz.	RF Amplifier 5.1-5.9GHz SSG 18dB Pout 25dBm	Qorvo
AFT20S015GNR1	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
CMD262	RF Power Amplifier, GaN, 26 to 28 GHz, 26 dB, 37.5 dBm, DIE	Qorvo
Le numéro de série est le numéro BLM9D2327S-50PBY.	RF Amplifier	Ampleon USA Inc.
A3G26H502W17SR3	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
Le numéro de référence:	RF Power Discrete Transistors	Qorvo
Le numéro MRF641	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Les États membres doivent:	RF Amplifier	Qorvo
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon USA Inc.
VMIL100	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
Le TPV375	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
BLV861MP	RF Power Discrete Transistors	NXP Semi-conducteurs
ZFBT-6G+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
TCBT-2R5G+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
JEBT-4R2G+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
RDP-2R15+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
SDP-2R15+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
TCBT-6G+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
ZFBT-352-FT+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
Pour les véhicules à moteur à combustion	RF Bias Tees	Des mini-circuits
ZX75-23-S+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
ZFBT-6GW+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
RDP-272+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	RF Bias Tees	Des mini-circuits
ZX85-12G-S+	Tissus de biais RF	Des mini-circuits
JEBT-4R2GW+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
LDPG-272 à 492+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
TCBT-14R+	RF Bias Tees	Des mini-circuits
JEBT-4R2GW	RF Bias Tees	Des mini-circuits

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