Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de référence de l'autorité compétente.
Caractéristiques
Packaging ::
Bulk
Technology ::
Si
Product Category ::
RF Bipolar Transistors
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Introduction
Le MZ0912B50Y, de ASI / Advanced Semiconductor, Inc., est des transistors bipolaires RF. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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1N26
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RF Bipolar Transistors RF Transistor
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UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
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Pour les appareils à combustion
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Le produit doit être présenté à l'entrée de l'établissement.
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
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Pour les appareils à combustion
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
Image | partie # | Description | |
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![]() |
1N26 |
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
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![]() |
Le numéro MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
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![]() |
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
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![]() |
Pour les appareils à moteur à combustion |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
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Pour les appareils à combustion |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
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Pour les appareils à moteur: |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
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Le produit doit être présenté à l'entrée de l'établissement. |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
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Pour les appareils à combustion |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
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