Pour les appareils à combustion
Caractéristiques
Packaging ::
Tray
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Introduction
L'AGR19180EF, de ASI/Advanced Semiconductor, Inc., sont des transistors RF MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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1N26
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
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Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de référence de l'autorité compétente.
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
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Le numéro MRF557T
RF Bipolar Transistors RF Transistor
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UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
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Pour les appareils à moteur à combustion
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
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Pour les appareils à combustion
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
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Pour les appareils à moteur:
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
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Le produit doit être présenté à l'entrée de l'établissement.
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
Image | partie # | Description | |
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![]() |
1N26 |
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
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![]() |
Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de référence de l'autorité compétente. |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
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![]() |
Le numéro MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
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![]() |
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
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Pour les appareils à moteur à combustion |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
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Pour les appareils à combustion |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
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Pour les appareils à moteur: |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
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Le produit doit être présenté à l'entrée de l'établissement. |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
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