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Des semi-conducteurs électroniques
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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HMC641LP4ETR est un |
IC SWITCH SP4T NON-REFL 24-QFN
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ADI / Dispositifs analogiques Inc.
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
IC MMIC SPDT SWITCH 6-MINIMOLD
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Cel
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Le nombre de personnes concernées par l'essai doit être fixé à la valeur de l'essai. |
SWITCH SP3T ASSYMETRICAL 8DFN
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Technologie M/A-Com
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Le code de conduite est le suivant: |
IC SW SPDT 2:1 REFL MUX 8-MSOP
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ADI / Dispositifs analogiques Inc.
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4231 à 52 |
IC RF SWITCH SPDT 75 OHM 8MSOP
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pSemi
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
IC SW SPDT 50MHZ-6GHZ 6-TSON
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Cel
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Pour les appareils de traitement des eaux usées |
IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 32QFN
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pSemi
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Le numéro MASW-010647-13950G |
SWITCH SP2TM DIE
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Technologie M/A-Com
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HMC547LP3TR |
IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN
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ADI / Dispositifs analogiques Inc.
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Le numéro de série MASW-011030-14040T |
IC RF SWITCH SP3T 100W 16HQFN
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Technologie M/A-Com
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HMC922LP4ETR est utilisé |
IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN
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ADI / Dispositifs analogiques Inc.
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Pour les appareils de traitement de l'air |
IC RF SWITCH SPDT FCD
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pSemi
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
IC SWITCH SPDT 6-TSON
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Cel
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RFC 5633TR13: Les produits de base sont les suivants: |
RF Amplifier 3.3 - 3.8 GHz 34 dB
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Qorvo
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Le nombre de points de contrôle |
RF Amplifier
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Qorvo
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Le nombre de personnes concernées par l'essai est le suivant: |
RF Power Discrete Transistors
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NXP USA Inc.
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement. |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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Le numéro de téléphone: |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 ou 2 du présent règlement. |
Transistors discrets de puissance RF
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Qorvo
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A3I25X050GNR1 |
RF Amplifier
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NXP Semi-conducteurs
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C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise. |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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TGA2814 |
Amplifier, Power, 3.1- 3.6 GHz, 80W, 22 dB, 30V, DIE, GaN
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Qorvo
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MD8IC970GNR1 |
RF Amplifier
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NXP Semi-conducteurs
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Le véhicule doit être équipé d'un système d'aérodromes de type "B"11 |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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Les données sont fournies par la Commission. |
RF Amplifier CATV, 0.05 - 1.2 GHz 22.5dBm,22 dB, 75Ohm
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Qorvo
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RFC 5632TR13: les produits de base et les produits de base |
RF Amplifier 2.3 - 2.7 GHz 36 dB
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Qorvo
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II. |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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Le SD1222 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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AFT27S010NT1 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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BLV861 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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Le nombre de points de contrôle |
RF Amplifier
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Qorvo
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Les États membres doivent: |
RF Amplifier
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Qorvo
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. |
Transistors discrets de puissance RF
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Ampleon USA Inc.
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Pour les appareils à commande numérique: |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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PT9700 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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A5G23H110NT4 |
Transistors discrets de puissance RF
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NXP USA Inc.
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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Le numéro d'immatriculation du véhicule |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement. |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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Le nombre de points de contrôle |
RF Amplifier
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Qorvo
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Pour les véhicules à moteur électrique |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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A3I20X050GNR3 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP USA Inc.
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Le nombre de fois où les données sont supprimées. |
Transistors discrets de puissance RF
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Ampleon USA Inc.
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A5G26H110NT4 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP USA Inc.
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Le numéro de série de l'AFV10700HSR5 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP USA Inc.
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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Le numéro de série |
Transistors discrets de puissance RF
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NXP Semi-conducteurs
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Je ne peux pas le faire.112 |
RF Power Discrete Transistors
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Ampleon USA Inc.
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AFT27S006NT1 |
RF Power Discrete Transistors
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NXP Semi-conducteurs
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