Des semi-conducteurs électroniques Fabricant From China de la page 416

partie #	Description	fabricant
MCP4231-103E/P	Digital Potentiometer ICs Dual 7B V SPI POT	Technologie des puces
Le nombre de points de contrôle	Digital Potentiometer ICs 10KOHM EEPOT(TMPOT CMOS 8LD COM	Intersil
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la quantité de CO2 produite.	Digital Potentiometer ICs ISL90842UIV1427Z LW NOISE LW PWR I2C BUS	Intersil
Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail et de l'heure de travail.	Digital Potentiometer ICs Sngl 8B V I2C POT	Technologie des puces
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	Digital Potentiometer ICs Dual 256-step digital potentiometer, 100k ohm end to end resistance	Maxime intégré
MCP4651-502E/ST: les produits de base sont dérivés de produits de base.	Digital Potentiometer ICs Dual 8B V I2C POT	Technologie des puces
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil.	Digital Potentiometer ICs 128 TAPVOLATILE I2C SNG RNG IND DCP 10LD	Intersil
Il s'agit d'un projet de loi.	Digital Potentiometer ICs IC Dual 8-Bit I2C	Appareils analogiques
MCP4652-104E/ONU Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:	Digital Potentiometer ICs Sngl 8B V I2C Rheo	Technologie des puces
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.	Digital Potentiometer ICs 256 Step SPI 100kOhm	Technologie des puces
MCP4018T-104E/LT	Digital Potentiometer ICs 100K I2C singl 7-bit volatile memory	Technologie des puces
Le nombre d'hectares de la zone de rétention est de:	IC DGTL POT 1024POS 100K 14TSSOP	ADI / Dispositifs analogiques Inc.
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil.	Digital Potentiometer ICs 256-pos 5v SPI 50-TP Mem Digi Rstat	Appareils analogiques
Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded	ISSI
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de jours de travail.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté dans les conditions suivantes:	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 1G, 1.5V, 1600MT/s 64Mx16 DDR3	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 utilisé.	DRAM 64M (2Mx32) 200MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Le nombre de personnes concernées par l'exemption est déterminé par le règlement (CE) no 1224/2009.	DRAM 576Mbit x9 Common I/O 300MHz Leaded IT	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3	ISSI
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3L	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.	DRAM 128M 4Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDR SDRAM 3.3v	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté à l'intérieur de l'appareil.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	DRAM 576Mbit x9 Common I/O 400Mhz RLDRAM2	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.	DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 64Mx32 IT	ISSI
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité.	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400MHz Leaded IT	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé en fonction de l'indice de CO2 utilisé.	DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI

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