Des semi-conducteurs électroniques Fabricant From China of page 417

partie #	Description	fabricant
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS	ISSI
Pour les appareils de surveillance de l'environnement:	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS	ISSI
Les données sont fournies à l'aide de l'appareil.	DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM Automotive,128M,3.3V SDRAM,8Mx16,143Mhz	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.	DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3 SDRAM	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3	ISSI
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM Automotive 16M 3.3V SDRAM 1Mx16 143MHz	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.	DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle de qualité.	DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	DRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR1 2.5v	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 4G, 1.35V, 1600MT/s DDR3 SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM 256Mb, 2.5V, 166MHz 64M x 8 DDR1	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x 16bits, ALL	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v	ISSI
Pour les appareils à commande numérique	DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Le produit doit être présenté à l'état d'essai.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R	ISSI
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'émission.	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks 64-MBIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM Memory IC	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Le nombre d'unités utilisées est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 166Mhz 90 ball BGA	ISSI
Le produit doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 2G, 1.5v, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1.	DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 128M 4Mx32 143MHz SDRAM 3.3v	ISSI
Le produit doit être présenté à l'essai.	DRAM Automotive 256M,3.3V SDRAM,16Mx16,166MHz	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M (32Mx8) 166MHz DDR 2.5v	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 ou 2.	DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400Mhz RLDRAM2	ISSI
Le nombre de personnes concernées par le traitement doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise par les autorités compétentes.	DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR	ISSI
Les produits de l'annexe II sont soumis à des contrôles d'éthique.	DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2	ISSI
Les produits de base doivent être soumis à des contrôles de qualité.	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDRAM	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS	ISSI
Le nombre d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé en fonction de la fréquence de l'émission.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R	ISSI
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 64M,3.3V,SDRAM,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 128M, 3.3V, 200Mhz SDR SDRAM	ISSI

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