Circuits intégrés - IC Fabricant From China of page 421

partie #	Description	fabricant
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de jours de travail.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.	Flash Memory 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp	Technologie des puces
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	Flash Memory 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory	Technologie des puces
S26KS512SDPBHA020 Les produits de base doivent être soumis à un contrôle de qualité.	Flash Memory NOR	Cypress Semi-conducteur
S25FL128SAGMFIG13	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage.	Flash Memory 64Mbit SPI/SQI flash, 105C, 2.3V-3.6V	Technologie des puces
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL256S10DHB023	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FS128SAGMFB101 Les produits de base sont les suivants:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'hectares de l'établissement doit être déterminé en tenant compte de la fréquence de l'établissement.	Flash Memory 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le numéro de série.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	Flash Memory 16M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V	ISSI
Le numéro de série AT25DN256-XMHF-B	Flash Memory 256K, 2.3V, 104Mhz Serial Flash	Technologies d'Adesto
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le groupe TH58BYG2S3HBAI4	Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM	Toshiba
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:	Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
S26KL256SDABHI020 Les produits de base sont les suivants:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S71VS128RC0AHKCL3	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET	ISSI
A2C0005401500 A. Pour les appareils à commande électrique	Flash Memory IC 64MEG FLASH EEPROM	Cypress Semi-conducteur
S25FS128SDSMFI1D3	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre de points de contact est le nombre de points de contact.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29AL008J70WEI019	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'appareil.	Flash Memory 16M 2.3-3.6V 85Mhz Data Flash	Technologies d'Adesto
S25FL064LABBHN023 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S34ML08G101TFI200	Flash Memory 8G, 3V, 25ns NAND Flash	Cypress Semi-conducteur
S25FL128SAGMFIG00: les produits de base sont soumis à des contrôles de sécurité.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le dossier de référence.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL164K0XMFIQ10	Flash Memory 64Mb, 3V, 108Mhz SPI NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL128P0XMFI000M	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le numéro de téléphone de l'établissement	Flash Memory 64M 1.65V-1.95V SPI 104MHz IND TEMP	Technologies d'Adesto
S25FL256LAGMFB000	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S26KL128SDABHM030 Les produits ne sont pas soumis à des contrôles.	Flash Memory NOR	Cypress Semi-conducteur
Le nombre de personnes concernées	Flash Memory Nand	Cypress Semi-conducteur
Les données de l'établissement doivent être fournies à l'autorité compétente.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre d'origine ne fassent pas l'objet d'une enquête.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.	Flash Memory 18- WLCSP, IND TEMP, 3V, T&R	Technologies d'Adesto
S25FL164K0XMFA010	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.	Flash Memory 16Mbit SQI Flash 1.8V	Technologie des puces
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL01GS11TFI020: les produits de base sont soumis à des contrôles de qualité.	Flash Memory 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
S29PL032J70BAI122 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.	Flash Memory 32MB Flash 3V 70ns Parallel NOR Flash	Spansion/Cypress
Le numéro d'immatriculation du véhicule est le numéro d'immatriculation du véhicule.	Flash Memory 16M, 85MHZ, 2.3-3.6V SERIAL FLASH	Technologies d'Adesto
A2C00051729 A. Pour les appareils électroniques	Flash Memory 32 MEG FLASH EEPROM	Cypress Semi-conducteur

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