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Circuits intégrés - IC

Imagepartie #DescriptionfabricantCourantRFQ
qualité Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Flash Memory 32M 3.0V 90ns Parallel NOR Flash
Cypress Semi-conducteur
qualité Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. usine

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S25FL129P0XNFI013M usine

S25FL129P0XNFI013M

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S29GL512S10SFI020 usine

S29GL512S10SFI020

Flash Memory NOR
Cypress Semi-conducteur
qualité Le nombre de points de contrôle doit être supérieur ou égal à: usine

Le nombre de points de contrôle doit être supérieur ou égal à:

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Le numéro de téléphone de l'établissement est: usine

Le numéro de téléphone de l'établissement est:

Flash Memory 16M, 85MHz 2.3-3.6V DataFlash
Technologies d'Adesto
qualité Je ne peux pas le faire. usine

Je ne peux pas le faire.

Flash Memory 64GB NAND EEPROM Suprme+
Toshiba
qualité S29CD016J0JFAM010 usine

S29CD016J0JFAM010

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

Flash Memory 2.7V to 3.6V 32Mbit Multi-Prps Fl
Technologie des puces
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 ou 2. usine

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 ou 2.

Flash Memory 2.7V to 3.6V 2Mbit Multi-Prps Fl
Technologie des puces
qualité S25FL129P0XMFI010 usine

S25FL129P0XMFI010

Flash Memory 128M CMOS 3V 104MHz Serial NOR Flash
Spansion/Cypress
qualité S34ML02G200TFA003 Les produits de base doivent être soumis à un contrôle de qualité. usine

S34ML02G200TFA003 Les produits de base doivent être soumis à un contrôle de qualité.

Flash Memory Nand
Cypress Semi-conducteur
qualité S29GL064N90BFI040A usine

S29GL064N90BFI040A

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S70FL256P0XMFI001 usine

S70FL256P0XMFI001

Flash Memory 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NOR Flash
Cypress Semi-conducteur
qualité S29GL064N90BFI040 usine

S29GL064N90BFI040

Flash Memory 64Mb 3V 90ns Parallel NOR Flash
Cypress Semi-conducteur
qualité S29AL008J55TFNR20 usine

S29AL008J55TFNR20

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S29GL512S11GHIV20 usine

S29GL512S11GHIV20

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S29CD032J1JFFM010E Les produits de l'Union usine

S29CD032J1JFFM010E Les produits de l'Union

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Flash Memory 512Kb QSPI, WSON, RoHS, ET
ISSI
qualité S29GL032N90TFI033: Les produits de base sont les suivants: usine

S29GL032N90TFI033: Les produits de base sont les suivants:

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S25FL128SAGNFI000 usine

S25FL128SAGNFI000

Flash Memory 128Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash
Cypress Semi-conducteur
qualité Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail et de l'heure de travail. usine

Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail et de l'heure de travail.

Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, TRAY
Technologies d'Adesto
qualité Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Flash Memory 8M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET
ISSI
qualité S29GL064S90DHVV20 usine

S29GL064S90DHVV20

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S98WS512P00FW0020A: Les données sont fournies par les autorités compétentes. usine

S98WS512P00FW0020A: Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S29AL016J55TFNR20 usine

S29AL016J55TFNR20

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S25FL132K0XMFI040 usine

S25FL132K0XMFI040

Flash Memory 32Mb, 3V, 108Mhz CMOS SPI Flash
Spansion/Cypress
qualité S25FL256SDPBHVC03 usine

S25FL256SDPBHVC03

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Les résultats de l'enquête sont publiés dans le journal officiel de l'OMS. usine

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le journal officiel de l'OMS.

Flash Memory 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+
Technologie des puces
qualité Les données relatives à l'émission de CO2 sont fournies par les autorités compétentes. usine

Les données relatives à l'émission de CO2 sont fournies par les autorités compétentes.

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S29CD032J0RQFM010 usine

S29CD032J0RQFM010

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de jours de travail. usine

Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de jours de travail.

Flash Memory 8Mb, 1.7V, 85Mhz Serial Flash
Technologies d'Adesto
qualité S29GL512S11DHA023: Les produits de base sont les suivants: usine

S29GL512S11DHA023: Les produits de base sont les suivants:

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S29GL128P11WGI019 usine

S29GL128P11WGI019

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité S25FL127SABMFI000 usine

S25FL127SABMFI000

Flash Memory 128Mb, 3V, 108Mhz SPI NOR Flash
Spansion/Cypress
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Flash Memory 128M, 3V, 110ns Parallel NOR Flash
Spansion/Cypress
qualité Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'activité de la personne concernée. usine

Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'activité de la personne concernée.

Flash Memory 32Mb, 3V, 108Mhz CMOS SPI Flash
Cypress Semi-conducteur
qualité S29PL032J70BFID20E usine

S29PL032J70BFID20E

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Le numéro d'enregistrement est le numéro de l'établissement. usine

Le numéro d'enregistrement est le numéro de l'établissement.

Flash Memory Die in Wafer Form
Technologies d'Adesto
qualité Le nombre d'hectares de l'établissement doit être déterminé en tenant compte de la fréquence de l'établissement. usine

Le nombre d'hectares de l'établissement doit être déterminé en tenant compte de la fréquence de l'établissement.

Flash Memory 4.5V to 5.5V 1Mbit Multi-Purpose Flash
Technologie des puces
qualité S25FL256SAGBHI213 Pour les appareils électroniques usine

S25FL256SAGBHI213 Pour les appareils électroniques

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

Flash Memory 4M (256Kx16) 70ns 1.65-1.95V Comm
Technologie des puces
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash
Technologie des puces
qualité Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: usine

Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:

NOR Flash 2Mbit 256M X 8bit SPI 3.3V 8ns 8-Pin USON T/R
ISSI
qualité S25FL512SDSBHI210: Les produits de base sont les suivants: usine

S25FL512SDSBHI210: Les produits de base sont les suivants:

Flash Memory 512Mb, 3V, 80Mhz CMOS SPI Flash
Cypress Semi-conducteur
qualité Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes aux normes de sécurité énoncées dans le présent règlement. usine

Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes aux normes de sécurité énoncées dans le présent règlement.

Flash Memory 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
Technologie des puces
qualité S26KL512SDABHV020 usine

S26KL512SDABHV020

Flash Memory Nor
Cypress Semi-conducteur
qualité Le système de surveillance doit être conforme à l'annexe I du présent règlement. usine

Le système de surveillance doit être conforme à l'annexe I du présent règlement.

Flash Memory 2.3V to 3.6V 2Mbit SPI Serial Flash
Technologie des puces
424 425 426 427 428