Circuits intégrés - IC Fabricant From China of page 427

partie #	Description	fabricant
Les données de l'établissement doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre de l'installation.	Flash Memory 2.7V to 3.6V 8Mbit Multi-Prps Fl	Technologie des puces
S25FL256SAGNFV001	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL128SAGBHIA13 Les produits de base sont les suivants:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL256P90TFCR20	Flash Memory 256Mb 3.0-3.6V 90ns Parallel NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence de l'émission de CO2.	Flash Memory 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET, T&R	ISSI
Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail et de l'heure de travail.	Flash Memory 1Mb, 2.3V, 104Mhz Serial Flash	Technologies d'Adesto
S29GL128S90FAI023 Les produits de l'annexe I du présent règlement ne sont pas soumis à l'obligation d'enregistrement.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	Flash Memory 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
S25FL512SAGMFB011 Les produits de base sont les suivants:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
La valeur de l'émission est la valeur de l'émission.	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le montant de l'aide est fixé au montant de l'aide.	NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V 55ns nvSRAM	Cypress Semi-conducteur
Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre de l'installation.	NVRAM 256Kb 25ns 32K x 8 AutoStore nvSRAM	Cypress Semi-conducteur
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'étoiles est le suivant:	NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID	Maxime intégré
La valeur de l'indicateur est calculée en fonction de l'indicateur.	NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor	Maxime intégré
CG8639AMT	NVRAM F-RAM Memory Serial	Cypress Semi-conducteur
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le numéro de série:	NVRAM 16M NV SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.	NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor	Maxime intégré
Le nombre d'étoiles est déterminé par le nombre d'étoiles.	NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID	Maxime intégré
Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de la personne.	NVRAM 16M NV SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 4096K NV SRAM	Maxime intégré
DS1225AB-85+	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	NVRAM 8M NV SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'écartement est calculée en fonction de l'écartement de l'écartement de l'écartement.	NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'équipements utilisés	NVRAM Non Volatile SRAMs	Cypress Semi-conducteur
La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le numéro de série	NVRAM Non Volatile SRAMs	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements à utiliser est le suivant:	NVRAM 8M NV SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indicateur de CO2 utilisé.	NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
DS1230YP-100+	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	Maxime intégré
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxime intégré
Le numéro de téléphone est le suivant:	NVRAM 16M NV SRAM	Maxime intégré
DS1270Y-70#	NVRAM 16M NV SRAM	Maxime intégré
Les données sont fournies à l'adresse suivante:	NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor	Maxime intégré
La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxime intégré
REM24EP32C-BSNC-T	NVRAM 8-SOIC-N, 2.7V, T&R, Sterilization Tolerant	Technologies d'Adesto
DS1230Y-100+	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxime intégré
Le nombre d'étoiles est le suivant:	NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID	Maxime intégré
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:	NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor	Maxime intégré

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