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Circuits intégrés - IC

Imagepartie #DescriptionfabricantCourantRFQ
qualité Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention. usine

Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA
Technologie des microns
qualité M29F800FT55M3F2 TR usine

M29F800FT55M3F2 TR

IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
Technologie des microns
qualité Le numéro d'immatriculation du véhicule: usine

Le numéro d'immatriculation du véhicule:

IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA
Technologie des microns
qualité Le numéro de téléphone est le M58WR064KB70ZB6E usine

Le numéro de téléphone est le M58WR064KB70ZB6E

IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
Technologie des microns
qualité Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de la fréquence de travail de l'appareil. usine

Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de la fréquence de travail de l'appareil.

IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOIC
Technologies d'Adesto
qualité N25Q128A13ESF40G Les produits à base d'huile de coco ne doivent pas être utilisés pour la fabrication d'huile de coco. usine

N25Q128A13ESF40G Les produits à base d'huile de coco ne doivent pas être utilisés pour la fabrication d'huile de coco.

IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
Technologie des microns
qualité Les États membres doivent respecter les règles énoncées à l'annexe II. usine

Les États membres doivent respecter les règles énoncées à l'annexe II.

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
Technologie des microns
qualité MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M usine

MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M

IC FLASH 32G PARALLEL
Technologie des microns
qualité MT4A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A usine

MT4A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A

IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA
Technologie des microns
qualité MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR usine

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR

IC FLASH 8G DDR2
Technologie des microns
qualité MT2département d'État usine

MT2département d'État

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
Technologie des microns
qualité Pour les appareils à commande numérique: usine

Pour les appareils à commande numérique:

IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TSSOP
ROHM Semi-conducteur
qualité MT29F1T08CPCABH8-6:A usine

MT29F1T08CPCABH8-6:A

IC FLASH 1T PARALLEL 166MHZ
Technologie des microns
qualité Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail. usine

Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.

IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC
Technologies d'Adesto
qualité W29N01GVSIAA usine

W29N01GVSIAA

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Électronique Winbond
qualité Le nombre de points de contrôle est le suivant: usine

Le nombre de points de contrôle est le suivant:

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
Électronique Winbond
qualité BR25S320FVM-WTR usine

BR25S320FVM-WTR

IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8MSOP
ROHM Semi-conducteur
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'émission. usine

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'émission.

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
Technologie des microns
qualité MT2F1G08ABAEAH4-ITX:E usine

MT2F1G08ABAEAH4-ITX:E

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Technologie des microns
qualité MT48LC32M8A2FB-75:D TR usine

MT48LC32M8A2FB-75:D TR

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Technologie des microns
qualité Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. usine

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
Électronique Winbond
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
Électronique Winbond
qualité MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR usine

MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR

IC FLASH 128G MMC 100LBGA
Technologie des microns
qualité MT4F4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4 usine

MT4F4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4

IC FLASH MLC 64G 8GX8
Technologie des microns
qualité MT46V128M4FN-75Z:D usine

MT46V128M4FN-75Z:D

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Technologie des microns
qualité Le montant de l'indemnité est calculé à partir du montant de l'indemnité. usine

Le montant de l'indemnité est calculé à partir du montant de l'indemnité.

IC FLASH MEMORY 256MB
Électronique Winbond
qualité Le nombre de points de contact est le plus élevé possible. usine

Le nombre de points de contact est le plus élevé possible.

IC FLASH 32MBIT
MXIC, Macronix. Je suis désolé.
qualité Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. usine

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
Technologie des microns
qualité Le numéro de série est le W631GU6MB11 usine

Le numéro de série est le W631GU6MB11

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA
Électronique Winbond
qualité MX29LV400CBTI-55Q, qui a été détecté usine

MX29LV400CBTI-55Q, qui a été détecté

IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
MXIC, Macronix. Je suis désolé.
qualité MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A usine

MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A

IC DRAM 128M PARALLEL 60FBGA
Technologie des microns
qualité Je ne sais pas.8 usine

Je ne sais pas.8

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
ROHM Semi-conducteur
qualité MT4A4A4A4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4 usine

MT4A4A4A4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
Technologie des microns
qualité MT45W4MW16BBB-708 WT TR usine

MT45W4MW16BBB-708 WT TR

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
Technologie des microns
qualité Les données sont fournies à l'aide de l'écran d'affichage. usine

Les données sont fournies à l'aide de l'écran d'affichage.

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
Électronique Winbond
qualité Le numéro de série est le W631GU8MB15 usine

Le numéro de série est le W631GU8MB15

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
Électronique Winbond
qualité MT29F32G08CBADAWP:D usine

MT29F32G08CBADAWP:D

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
Technologie des microns
qualité MT46V32M8P-5B:MTR usine

MT46V32M8P-5B:MTR

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Technologie des microns
qualité M58LR128KT85ZB5E usine

M58LR128KT85ZB5E

IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
Technologie des microns
qualité MT28GU256AAA1EGC-0SIT usine

MT28GU256AAA1EGC-0SIT

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
Technologie des microns
qualité MT46H32M16LFBF-6 À:C usine

MT46H32M16LFBF-6 À:C

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Technologie des microns
qualité Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: usine

Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Électronique Winbond
qualité MT41J128M16HA-15E:D TR usine

MT41J128M16HA-15E:D TR

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Technologie des microns
qualité MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR usine

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Technologie des microns
qualité Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil usine

Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil

IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
MXIC, Macronix. Je suis désolé.
qualité MT2F4G01ADGDSF-IT:G TR usine

MT2F4G01ADGDSF-IT:G TR

IC FLASH 4G SPI SOIC
Technologie des microns
qualité MT41K512M16HA-125:UN TR usine

MT41K512M16HA-125:UN TR

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
Technologie des microns
qualité MT46V32M8P-5B L:M usine

MT46V32M8P-5B L:M

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Technologie des microns
qualité MT41K256M8DA-15E:M usine

MT41K256M8DA-15E:M

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Technologie des microns
qualité Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement. usine

Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement.

IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8VCSP50L2
ROHM Semi-conducteur
439 440 441 442 443