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Circuits intégrés - IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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![qualité [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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MT47H128M8CF-25:H |
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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Technologie des microns
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Le numéro de téléphone de l'AT45DQ161-SSHFB |
IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC
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Technologies d'Adesto
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Le nombre d'heures d'attente est calculé en fonction de la fréquence de l'émission. |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VDFN
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Technologies d'Adesto
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MT46V16M16TG-5B:F TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
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Technologie des microns
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Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé à: |
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
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Électronique Winbond
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Les données de l'échantillon sont fournies à l'échantillon. |
IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ
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Technologie des microns
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MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR |
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
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Technologie des microns
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Le nombre d'heures d'essai doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise. |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
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Électronique Winbond
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MT2F2G01AAAEDH4-ITX:E |
IC FLASH 2G SPI 63VFBGA
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Technologie des microns
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MT2département d'État |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Technologie des microns
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Le nombre de points d'interrogation est le suivant: |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON
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Électronique Winbond
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MTFC128GUA-WT ES TR |
IC FLASH 1T MMC
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Technologie des microns
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MT2département d'État |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Technologie des microns
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MT29F512G08CKCABH7-6R:A |
IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
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Technologie des microns
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MT4dénomination de domaine |
IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA
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Technologie des microns
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MT5502M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
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Technologie des microns
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MT28F004B3VG-8T |
IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I
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Technologie des microns
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MT48LC32M4A2TG-75 L:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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Technologie des microns
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Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. |
IC FLASH 128G MMC 169WFBGA
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Technologie des microns
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MT4A2P-6 Législation des États membres en matière d'accès à l'information |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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Technologie des microns
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Le montant de l'indemnité est calculé à partir de l'indice de déduction. |
IC FLASH MEMORY 128MB
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Électronique Winbond
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MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2B2A2B2A2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B |
IC FLASH 16G PARALLEL 83MHZ
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Technologie des microns
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MT4A2G4WE-075E:D TR |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
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Technologie des microns
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MT47H64M8CB-37V:B TR |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Technologie des microns
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Les données de l'échantillon sont fournies à l'échantillon. |
IC FLASH 32MBIT
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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Le numéro de série de l'appareil doit être le numéro de série de l'appareil. |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA
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Technologie des microns
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Le nombre de fois où les données sont utilisées. |
IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
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Technologie des microns
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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
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Technologie des microns
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Le nombre de points d'interrogation doit être le même que le nombre de points de contact. |
IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA
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Technologie des microns
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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8DIP
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Technologie des puces
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MT4département d'État |
SERIAL NOR SLC 64MX8 TBGA
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Technologie des microns
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
IC FLASH 32M PARALLEL 44VFBGA
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Technologie des microns
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MT4A4G4NRE-075E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ
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Technologie des microns
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MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR |
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Technologie des microns
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Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité. |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ SOT23-5
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Technologie des puces
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RD28F1604C3TD70SB93 |
IC FLASH RAM 16MIT PARAL 66SCSP
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Renseignements
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MT53D8FONT-DC |
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4
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Technologie des microns
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S29AL032D70TFI030: les produits de base doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory
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Spansion/Cypress
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MT4N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N |
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
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Technologie des microns
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MT29F256G08CMAAAC5: UN TR |
IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA
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Technologie des microns
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MT4A2P-75 Législation de l'État |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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Technologie des microns
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA
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Électronique Winbond
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Le numéro de série AT24C256C-XHL-B |
IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP
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Technologie des puces
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N25Q128A11ESE40G |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO
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Technologie des microns
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MT44K16M36RB-107E:BTR |
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
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Technologie des microns
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
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Technologie des microns
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MT2F2T08CTCCBJ7-6C:C |
IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA
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Technologie des microns
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement. |
IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA
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Technologie des microns
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MT47H64M16HR-25E IL:H |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
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Technologie des microns
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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