| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ |
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.
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DRAM 128M 4Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDR SDRAM 3.3v
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz Mobile SDRAM
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Le produit doit être présenté à l'intérieur de l'appareil.
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DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
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Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
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DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
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DRAM 576Mbit x9 Common I/O 400Mhz RLDRAM2
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Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.
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DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
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DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz Mobile SDRAM
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 64Mx32 IT
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité.
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DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400MHz Leaded IT
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé en fonction de l'indice de CO2 utilisé.
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DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
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DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
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DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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Les données sont fournies à l'aide de l'appareil.
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DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM Automotive,128M,3.3V SDRAM,8Mx16,143Mhz
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.
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DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3 SDRAM
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM Automotive 16M 3.3V SDRAM 1Mx16 143MHz
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.
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DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
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Les produits doivent être soumis à un contrôle de qualité.
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DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
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Les données sont fournies par les autorités compétentes.
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DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
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DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
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DRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR1 2.5v
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 4G, 1.35V, 1600MT/s DDR3 SDRAM
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.
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DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
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DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
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DRAM 256Mb, 2.5V, 166MHz 64M x 8 DDR1
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x 16bits, ALL
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
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DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v
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Pour les appareils à commande numérique
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DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V
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Le produit doit être présenté à l'état d'essai.
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DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
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Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'émission.
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1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks 64-MBIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM Memory IC
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile SDRAM
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Le nombre d'unités utilisées est déterminé par la méthode suivante:
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DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 166Mhz 90 ball BGA
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Le produit doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
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DRAM 2G, 1.5v, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1.
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DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 128M 4Mx32 143MHz SDRAM 3.3v
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Le produit doit être présenté à l'essai.
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DRAM Automotive 256M,3.3V SDRAM,16Mx16,166MHz
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 256M (32Mx8) 166MHz DDR 2.5v
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
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DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 ou 2.
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DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
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