Circuits intégrés - IC Fabricant From China of page 418

partie #	Description	fabricant
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS	ISSI
Pour les appareils de surveillance de l'environnement:	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2	ISSI
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail.	DRAM 128M 4Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM Automotive 64M,3.3V SDRAM,2Mx32,166MHz	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDRAM 3.3v	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 SDRAM	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v	ISSI
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement de l'eau.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M (32Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 512M (16Mx32) 133MHz Mobile SDRAM 1.8v	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle de qualité.	DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 32M, 2.5V, M-SDRAM 2Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2	ISSI
S25FL256SDSBHI213 Pour les véhicules à moteur électrique	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
S25FL256SDPMFIG03	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL512SAGMFVG11	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL256SAGBHID00	Flash Memory 256MB 3V 133MHz Serial NOR Flash	Spansion/Cypress
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'éthique.	Flash Memory 4.5V to 5.5V 1Mbit	Technologie des puces
S29WS064RABBHW000	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29CD032J0PFFM010	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL127SABMFIZ00	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S25FL512SAGMFIR11 est un type de véhicule à moteur.	Flash Memory 512Mb, 3V, 133Mhz SPI NOR Flash	Cypress Semi-conducteur
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	Flash Memory 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET	ISSI
S70GL02GT11FHV013: les produits de base sont soumis à des contrôles de qualité.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par le système de mesure.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S70GL02GS11FHA013: les produits de base sont soumis à des contrôles de qualité.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL01GS10FAI013	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre de heures de travail.	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
S29GL01GT11TFIV10	Flash Memory Nor	Cypress Semi-conducteur
Les données sont fournies à l'autorité compétente.	Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mbit SPI Serial Flash	Technologie des puces
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.	Flash Memory 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash	Technologie des puces
S29GL01GT11DHIV20	Flash Memory NOR	Cypress Semi-conducteur
Le nombre de personnes concernées par l'examen	Flash Memory Nand	Cypress Semi-conducteur
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.	Flash Memory SQI Flash Memory 16Mb 1.8V	Technologie des puces

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