Circuits intégrés - IC Fabricant From China de la page 417

partie #	Description	fabricant
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400Mhz RLDRAM2	ISSI
Le nombre de personnes concernées par le traitement doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise par les autorités compétentes.	DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR	ISSI
Les produits de l'annexe II sont soumis à des contrôles d'éthique.	DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2	ISSI
Les produits de base doivent être soumis à des contrôles de qualité.	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDRAM	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS	ISSI
Le nombre d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé en fonction de la fréquence de l'émission.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R	ISSI
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 64M,3.3V,SDRAM,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 128M, 3.3V, 200Mhz SDR SDRAM	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 64M (4Mx16) 200MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 ou 2.	DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V	ISSI
S27KS0641DPBHB020: Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les produits.	DRAM Nor	Cypress Semi-conducteur
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 128M 16Mx8 143Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.	DRAM 256M 8Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM Automotive 2G 1.8V DDR2 128Mx16 333MHz	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT	ISSI
Le nombre d'unités d'équipement est déterminé en fonction de l'échantillon.	DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDRAM 3.3v	ISSI
Le nombre total d'unités utilisées est le suivant:	DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 166Mhz 90 ball BGA	ISSI
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:	DRAM 1.2V 2033 MT/s 4Gb 256Mx16 DDR4 SDRAM	ISSI
S27KL0641DABHB023 Les produits de base sont les suivants:	DRAM Nor	Cypress Semi-conducteur
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 128M, 3.3V, 166Mhz 4Mx32 SDRAM	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R	ISSI
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT	ISSI
Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS	ISSI
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.	DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 32Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM M-SDRAM,128M,3.3V 166MHz,8Mx16, IT	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R	ISSI
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R	ISSI
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:	DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16	ISSI
Les données sont fournies par les autorités compétentes.	DRAM Automotive 1G,1.8V 64Mx16 DDR2 SDRAM	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin.	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin.	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS	ISSI
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 et dans la catégorie 2.	DRAM 1G 128Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V	ISSI
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.	DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.	DRAM 512M, 2.5V, 166Mhz 32Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.	DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS	ISSI

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